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沿革

1950年-1959年

1950年8月
不二見研磨材工業所を創立し、人造精密研磨材の生産を開始
1953年3月
不二見研磨材工業株式会社を設立
1957年
東京通信工業(株)(現ソニー(株))のゲルマニウム半導体基盤用研磨材ニーズに対応
1959年7月
本社を現在の所在地へ移転
真空管、トランジスタ用絶縁材として高純度絶縁アルミナ生産開始

1960年-1969年

1960年
光学用硝子・板硝子向けのポリシング材FR[フジミレミロックス(酸化セリウム)]を生産開始
1960年6月
神奈川県川崎市に「東京技術センター」を開設
1961年1月
ゲルマニウムウェハー用ポリシング材[FS]を生産開始
1967年7月
シリコンウェハー用ポリシング材[GLANZOX]を発表

1970年-1979年

1970年5月
稲沢工場の操業開始
1971年
光学レンズ研削用の[FDP]を開発
1974年
シリコンウェハー用ポリシング材[GLANZOX]シリーズを開発
1975年
GaAsウェハー用ポリシング材[INSEC]シリーズを開発
1977年1月
プラスチックレンズ用研磨材[POLIPLA]を生産開始
1978年
「東京技術センター」を閉鎖

1980年-1989年

1980年10月
本社ビル完成
1981年
[COMPOL]シリーズを開発
1983年
ハードディスク用ポリシング材[MEDIPOL-N]シリーズを開発
1984年6月
FUJIMI CORPORATIONを米国イリノイ州に設立
1985年1月
各務原工場の操業開始
1987年
シリコンウェハー用精密研削砥石[FPW-E]シリーズを開発
1988年5月
FUJIMI AMERICA INC.を米国オレゴン州に設立
1988年9月
超高純度のシリコンウェハー用ポリシング材[GLANZOX3900] を開発

1990年-1999年

1990年11月
ディスク用ポリシング材[DISKLITE]シリーズを開発
1991年10月
国内関連会社3社を合併し、現社名に商号変更
1993年10月
ディスク用テクスチャー[DIATEC-GTX]シリーズを開発
1994年6月-9月
本社、稲沢、各務原および米国の全生産拠点が国際標準化機構「ISO9002」の認証を取得
1995年4月
日本証券業協会に株式を店頭登録(18日)(現JASDAQ証券取引所)
FUJIMI-MICRO TECHNOLOGY SDN. BHD.をマレーシアに設立
CMP用スラリー[PLANERLITE]シリーズを開発
1996年10月
FUJIMI AMERICA INC.トゥアラタン工場(米国オレゴン州)の操業開始
1996年12月
各務東町工場の操業開始
1999年1月
物流センター稼働
1999年3月
国内の全生産拠点が国際標準化機構「ISO9001」の認証を取得
1999年11月
FUJIMI CORPORATIONを100%子会社化

2000年-2009年

2000年3月
国内の全生産拠点が国際標準化機構「ISO14001」の認証を取得
2000年5月
溶射材事業部棟操業開始
2000年9月
研究開発センター稼働
2000年10月
FUJIMI-MICRO TECHNOLOGY SDN. BHDクリム工場稼働
2000年12月
CMPスラリー(Cu用)[PLANERLITE-7000]シリーズを開発
2001年1月
耐衝撃WCサーメット溶射材[SURPREX W2010X]を発表
2002年3月
FUJIMI AMERICA INC. がインテル社の「プリファード・クォリティ・サプライヤー(PQS)賞」を受賞
2002年10月
世界初、HVOF[高速フレーム溶射]による微粉末溶射システムの確立に成功
2003年3月
FUJIMI-MICRO TECHNOLOGY SDN. BHD.が国際標準化機構「ISO 14001」の認証を取得
当社およびFUJIMI AMERICA INC. がインテル社の「プリファード・クォリティ・サプライヤー(PQS)賞」を受賞
2003年7月
FUJIMI AMERICA INC. はFUJIMI CORPORATIONと合併し、商号をFUJIMI CORPORATIONに変更
2004年1月
FUJIMI EUROPE LIMITED (イギリス)およびFUJIMI EUROPE GMBH(ドイツ)を設立し営業開始
2004年3月
FUJIMI CORPORATION が、インテル社の最高位にランクされる「サプライヤー・コンティニュアス・クォリティ・インプルーブメント(SCQI)賞」を受賞
2005年10月
台湾竹北市に駐在員事務所を開設
2007年2月
東証一部、名証一部に同時上場
2007年3月
JASDAQ証券取引所の上場廃止
2007年4月
本社工場を枇杷島工場に呼称変更
2007年5月
中国上海市に駐在員事務所を開設
2008年5月
各務東町工場第2棟の操業開始
2008年7月
FUJIMI CORPORATION がAMD社の「World Class Supplier Pathfinder Award 2007」を受賞
2008年10月
韓国ソウル市に駐在員事務所を開設
2009年11月
研磨に適した新しい粒子「角状ナノアルミナ」の開発に成功

2010年-

2010年3月
世界初、500℃から成膜可能な超硬溶射材料の開発に成功
2010年9月
FUJIMI EUROPE LIMITED(イギリス)はFUJIMI EUROPE GmbH(ドイツ)に移管
2011年4月
航空・宇宙・防衛 品質マネジメントシステム(JIS Q 9100)認証を取得(溶射材)
2011年8月
FUJIMI TAIWAN LIMITEDを台湾に設立
2013年1月
FUJIMI KOREA LIMITEDを韓国に設立
2013年12月
当社がTSMC社の「Excellent Performance Award(優秀賞)」を受賞
2015年1月
FUJIMI SHENZHEN TECHNOLOGY. CO., LTD.を中国に設立
2015年3月
FUJIMI CORPORATIONがインテル社の「プリファード・クォリティ・サプライヤー(PQS)賞」を受賞
2016年3月
FUJIMI CORPORATIONがインテル社の「プリファード・クォリティ・サプライヤー(PQS)賞」を受賞 (2年連続)
2017年3月
FUJIMI CORPORATIONがインテル社の「サプライヤー・コンテニュアス・クオリティー・インプルーブメント(SCQI)賞」を受賞

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