アルミナ（＝酸化アルミニウム：AI₂O₃）を主成分とする鏡面仕上材。主にハードディスクやプラスチックレンズの仕上げ用に使用されており、DISKLITE（ディスクライト）やPOLIPLA（ポリプラ）が代表的製品。

金属化合物を溶融して冷却した塊を総称してインゴットと呼ぶ。例えば、多結晶シリコンを溶融後、結晶成長させ単結晶シリコンインゴットを作る。このインゴットを円筒状に加工して薄くスライスしたものがシリコンウェハーである。電気溶融で生成された粉砕前の研磨材の塊のこともインゴットと呼ぶ。

溶射方法の一種。HVOF等従来の溶射方法と、コールドスプレー溶射の中間的な温度域で、溶射材料を加熱し、基材に衝突させることで皮膜を形成する方法。

化学的な腐食作用のことであり、シリコンウェハー加工工程ではラッピング後の加工歪層を取り除く作業をいう。パーティクル発生抑制、歩留りの向上につながる。

シリコンウェハーのエッジ（外周）部分用ポリシング材の総称。エッジ部分を鏡面研磨することによってウェハーの強度が高められ、パーティクル発生抑制、歩留りの向上につながる。

金属等の強力な接着剤・塗料・電気絶縁材料等に用いられる樹脂の一種。加熱すると硬化する性質を持つものは熱硬化性樹脂と呼び、シリカやアルミナの粉末と混合して注型され、電気絶縁材料に使用される。

窒化ガリウム、ガリウムひ素、インジウムリン等のように複数の元素が化合してできた半導体。発光ダイオードや半導体レーザーなどのIC素子に応用される。

電子部品を組み込むプリント板。また、集積回路を配線するシリコンの結晶板。

スリーエム社製の高靱性アルミナ砥粒。砥石原料として使用した場合、高い研削能力と長寿命が得られる。

金属等の表面を研磨などによって鏡面にすること。

高度の防塵機能を備えた部屋。特に作業環境に敏感なICや精密機械などを製造するために使用。

紙や布の上に研磨材（主にAやC）をコーティングしたものを研磨布紙という。研磨テープは主にGCやWAを樹脂フィルムにコーティングしたもの。磁気ヘッド等の仕上げ加工に使用される。

シリコンウェハーの内部欠陥を低減するために、砥粒を裏面にぶつけて裏面に欠陥を吸収させるため微小なひずみを与える加工方法の一つ。FQが代表的製品

分級・溶解・表面保護などの一定の機能を持つ薬液を設計・測定する技術。

Ge：灰白色のもろい結晶で、半導体としてトランジスタに用いる。

物の表面に膜をつけ、耐摩耗性や耐蝕性、耐熱性を向上させる処理。

世界中の主な半導体関連組織や識者が集まって作る半導体関連の技術ロードマップ（将来展望）。今後の15年程度にわたっての詳細なロードマップが示され、毎年更新されれている。

砥石のように研磨材が結合剤で固定されたもの。当社のラッピング材やポリシング材は遊離砥粒。

溶射方法の一種。溶射材料を高速で衝突させることにより、溶射材料の溶融温度以下の低温で皮膜を形成する方法。

Corundum＝鋼玉。酸化アルミニウム（アルミナ：AI₂O₃)から成る鉱物。ルビーやサファイヤはこの一種。宝石の他、研磨材として使用される。

SiO₂またはその水和物のコロイドで、通常、粒子径が10～300nmで一定の構造を持たないもの。ケイ酸塩に希塩酸を作用させてから透析して得られ、常温ではなかなか沈殿しないゾル状である。Siウェハなどの仕上げポリシング材用研磨材として多用される。

ゴミ、異物、不純物などが混ざること。

硬質のセラミック粒子を靱性の高い金属マトリックスで結合させた、高硬度・高靱性を有した複合材料。工具材料の分野では、TiC系及びTi(CN)系サーメットを指すが、広義には超硬合金をはじめとするセラミックス一金属複合材料全般を含む。高速フレーム溶射機で溶射したサーメット皮膜は他にどの材料の溶射皮膜よりも硬く、しかも皮膜中に気孔が非常に少ないので耐摩耗性や耐蝕性に優れる。

主にLED用として用いられる。シリコンより硬いため、研磨効率の向上が求められる。

供給者から消費者までを結ぶ、開発・調達・製造・配送・販売の業務のつながり、供給者、メーカー、流通業者（棚卸業者）、小売業者、消費者などが関係する。

アルミナ(AI₂O₃)：天然にはコランダム、ルビー、サファイヤなどとして産出する。工業的には水酸化アルミニウムを強熱して得られる。

スチール製の粉砕機、鉄ボールによって粉砕された研磨材中には、摩擦によって多量の鉄分が混入しており、そのままでは製品化できない。したがって、除鉄処理のため、酸で鉄粉を溶かすことで純粋の研磨材のみを抽出しようという生産工程を酸処理という。処理漕の中で水と酸を加えて蒸気で加熱しながら攪拌して処理する。

ハードディスク表面欠陥検査装置のこと。

製品の耐久性強化や増量のために加える物質。

粉末を加圧成形し、融点以下の温度で熱処理した場合、粒子の間に結合が生じて成形した形で固まる現象。

調合された原料を加熱し焼結物を作ったり、結晶転移を行ったりすること。

化学反応に際し、反応物質以外のもので、それ自身は化学変化を受けず、しかも反応速度を変化させる物質。

シリカ（二酸化けい素：SiO₂）を主成分とする鏡面研磨材。主にシリコンをはじめとする電子材料基板の鏡面仕上用として使用される。GLANZOX（グランゾックス）3000シリーズやCOMPOL（コンポール）が代表的製品。

けい素（Si）：地球表面での存在比が最も大きい元素。半導体材料として現在のエレクトロニクス産業を支えている。ICチップの基板として不可欠。

ICチップの製造に使われる半導体でできた薄い基板。シリコン単結晶の塊（インゴット）を1mm未満の厚さにスライスし、研磨したもの。

ジルコンサンド（珪酸ジルコニウム）はジルコン（和名はヒヤシンス鉱）を含んだ堆積。ジルコニウム鉱物の中では、分布は一番広くて、ジルコニウムの珪酸塩を主要構成とする鉱物。融点は高く、熱伝導率は低く、線膨張係数は小さい 等の特性がある。ジルコンを含む砂。ジルコンは無色からピンクだが、屈折率が高いのが特徴。また外形は四角柱の柱状結晶が特徴的。風化に強く、比重が大きいので、選別されて残りやすい。透明な鉱物は石英。

材料のねばり強さや外力によって破壊されにくい性質を指していう。

ウェハーやディスク表面上に生じた傷。微細なスクラッチを特にマイクロスクラッチという。

レンズまたはプリズムなどの鏡面加工の前に精度良く仕上げる工程の総称。

インゴット等を薄く切る加工方法のこと。内周刃ブレードやワイヤーソー等で行う。

砥粒と加工液からなる懸濁液。

パソコンやPDA（携帯情報端末）の機能が備わった携帯電話。

成形、焼成などの工程を経て得られる非金属無機材料の総称。一般に耐熱性に優れ、情報通信、精密機械、医療などの分野で利用されている。

シリコンウェハーの直径は300ミリが現在の主流であり、450ミリも注目されている。

光エネルギーを電力に変換する電力機器。シリコン太陽電池のほか、化合物半導体などを素材にしたものが実用化されている。

電子部品で電子回路を何層にも積み上げたもの。

結晶欠陥や、損傷のない加工面のことをいう。

カーボランダム（SiC）。けい素と炭素の化合物。ダイヤモンドに次ぐ硬度を有し、研磨材として使用される。当社の炭化けい素質研磨材は、文字通りこれを主成分とした研磨材。代表的な商品にC・GCがある。他方、砥石や研磨布紙、研磨テープなどの主原料にもなる。

任意の結晶軸に着目したとき、試料のどの部分においてもその向きが同じであるような結晶のことを指していう。

触媒の働きをする物質を分散させ、保持する物質。

金属不純物を極限まで低減した、分散性に富んだシリカ（二酸化けい素）のコロイド粒子。当社製品のシリコンウェハー用ファイナルポリシング材GLANZOX 3900シリーズ、および銅配線（Cu）用CMPスラリーPLANERLITE 7000シリーズなどが代表製品。

平均の粒径が1µm以下の微粉を便宜上、超微粉とよんでいる。研磨材の用途以外においても耐摩耗材、充填材等に応用されている。

ヘイズ（Haze）とは“くもり”と言う意味で原子オーダーの粗さもしくは原子の乱れた状態をさす。ヘイズを極限まで低減できるポリシング材を超ヘイズポリシング材という。

粒子が液体中で沈んでいく速度のことをいう。「湿式分級法」とは、粒子の持つ水中での沈降速度と任意に調整できる水の上昇速度とのバランスにより均一な粒子のみを分別する工程をいう。

ハードディスクの鏡面加工の後、磁気ヘッドの吸着防止と磁気特性の向上を目的としてディスク表面に同心円状の微細なすじ目を入れる加工。

シリコンウェハーに半導体回路のパターンを組んだウェハーのこと。

光線の代わりに電子線を用い、光学レンズの代わりに電極コイル等を用いた顕微鏡。TEM（透過型電子顕微鏡）、SEM（走査型電子顕微鏡）がある。

1ミリの百万分の1が1ナノ。

SiO₂シリカ：これを主成分にした当社研磨材としてゲッタリング加工用のFQやシリコン専用鏡面仕上材GLANZOX（グランゾックス) 3900シリーズがある。

データの記憶媒体として用いられる円盤。大きく2つに区別され、アルミ基板上にニッケルとリンの混合液でメッキをしたものとガラスのものがある。鏡面加工し、磁性媒体処理の後、ドライブ装置に組み込まれる。パソコンやサーバー、外付けHDD等、大容量の記憶装置に搭載される。

用途に適した一定の機能を持つ粒子の設計・製造・選定・評価技術。

シリコンウェハーのデバイス加工後に裏面厚みを調整するため砥石により研削加工を施すことをいう。

蓄電池のこと。ガソリン車などが排出するCO2を減らすため、電気自動車の需要拡大が期待される。

電力用半導体素子を用いた電力変換、電力開閉に関する技術を扱う工学で、電力変換と制御を中心とした応用システム。

板状結晶を有した高品質のアルミナ質研磨材。用途としては、シリコンウェハーや金属、ガラスのラッピング材のほか、砥石材料、金属との複合材等がある。当社ではPWAと呼称している。

導体（熱・電気を伝えやすい）と不導体（熱・電気を伝えにくい）との両方の性質をもつ物質。電圧の高低で導体と不導体を制御できる。代表的な半導体材料としてシリコンが知られる。

JIS規格#240（57µm）～#8000（1.2µm）の均一な粒子形状および粒度分布を有する研磨材。JISでは、研削砥石や研磨布紙等に使用される研削材を、粗粒と微粉に分類している。#8～#220を粗粒、#240～#8000を微粉と呼称している。

何段階かに分けれらる研磨工程における最終鏡面仕上げの研磨工程。

純度を高め、粒子の径を極めて小さく揃えた材料を用い、高温焼結技術によって得られるセラミックスをいう。硬くて耐摩耗性に富み、耐熱性や耐薬品性に優れているなどの特徴があるが、もろいという欠点があり、用途拡大のネックとなっている。

半導体産業において、実際に半導体デバイス（半導体チップ）を生産する工場のことを指すが、ファウンドリ・サービスという半導体製造のみを専門に行う会社を指すことが多い。

石油精製コンビナートの反応塔に充填されるセラミックボールのことをいう。

研磨材の製造工程において、異物除去のために行う工程のことをいう。

2種類以上の材料を混ぜ合わせた材料。

溶射方法の一種。不活性ガスと高電流によりプラズマジェットを発生させ、溶射材料を加熱・加速し、基材に衝突させることで皮膜を形成する方法。

フルイ網面を媒体として研磨材粒子をそれぞれの大きさ（粒度）に分けたり、異物、粗粒子を取り除く工程のことをいう。

デバイス（ICのパターンを組む）工程で、シリコンウェハーの表面の半導体回路を多層化するための平坦化加工を総称していう新しい加工技術。

種々の粒径が混ざった砥粒から、規格を満たす一定の粒径分布を持つものを得るための操作。一般的な湿式分級法は粒子の大きさをそろえたり異物を分離するために、粒子を水に分散させ、水中での粒子の大きさによる沈降速度（沈んでいく速さ）の差異によって分離する方法。

様々な大きさの原料を砕いて細かい粒子を生産する工程の総称。粉砕機の種類としてボールミル、振動ミル等があり、これらの特性を考えて使い分けをする。ミル内には粉砕用のボールが充填されており、粉砕機の運転時間が長いほど、より細かな粒子の研磨材が生産される。

粉末を液体中に均一に分散させ、粒子の沈降を安定させるために用いられる。

砥粒、特殊配合の金属粉末（ブロンズ系、スチール系等）及び（又は）レジン等のボンドを混合圧縮し、熱処理した焼結体。

ラッピングよりもさらに細かい研磨材や薬品等を用いて、加工面を鏡面に仕上げる作業を指していう。通常研磨クロスを併用する。

平坦度の高い鏡面に仕上げるための研磨加工。通常研磨パッドを併用する。

長さの単位をいう。

［参考］1µm=1000分の1mm（ミリメートル）
1µm=1,000nm（ナノメートル）
1µm=10,000A（オングストローム）

加工面の精密さの度合い。平坦度、平行度、表面粗さ、ウネリ等がある。

モース硬度は鉱物の硬さを示す指標で、オーストラリアのモースという鉱物学者によって発案された測定方法。天然の鉱物の中から15種類の鉱物を選び、硬さによって1番から15番までの番号がつけられている。測定物に対し硬度の小さい鉱物から順に擦り合わせ、測定物に傷がつくか否かを目測し、硬度を判定する。

モース硬度一覧表（新モース硬度）

高性能トランジスタは寸法を縮小するにつれ、ゲート絶縁膜も比例して薄くする必要がある。薄い絶縁膜を利用してトランジスタ性能を上げるためゲート電極を多結晶シリコンでなく金属（メタル）にする動きが広まっている。

コンピュータが処理すべきデジタルデータをある期間だけ保持するのに使う、部品、装置、電子媒体の総称。現代のコンピュータには必ず何らかの記憶装置があり、CPUと共に1940年代から使われ続けている。

粉末上の砥粒。研削砥石や研磨布紙等を固定砥粒と呼ぶのに対して、ラッピング・ポリッシング加工等で研磨材粉末を水や油と混合してスラリーをつくり、流離状態流し込みながら研磨を行うので「遊離砥粒で加工する」と表現する。

溶射とは高温で溶融したセラミックスや金属の微粉を溶射対象物の素地に高速で噴射塗布して、その物の表面を改質してしまう、という表面加工技術。耐熱性や耐摩耗性、耐食性（耐薬品性）などが飛躍的に高まることが確認されており、溶射対象物のメンテサイクルや部品寿命が数倍～数十倍にも伸びることから、建機業界や航空機業界、鉄鋼業界、自動車機械部品などが市場として期待される。

溶射によって形成された皮膜。

アランダム(AI₂O₃)：ボーキサイトを電気炉で溶融して製造するコランダム結晶。主に耐火物や研磨材として使用される。

研磨材によって工作面を極めて精密に仕上げる作業をいう。定盤に加工物を押しつけ、研磨材を流し込み、定盤を回転させながら、研磨する加工法。優れた面精度に研磨できるので、精密加工法として多用されている。シリコンウェハー加工工程では、ウェーハの両面の平行度を改善し、所定の厚さに仕上げるために、アルミナ系研磨材でラッピング加工される。

LiTaO₃：電子材料基盤に使用されるリチウムとタンタルの酸化化合物。

セリウムやネオジム、ユウロピウムなどの希土類元素（rare earth elements）の酸化物や塩化物などの総称。

大きさの異なる粒子を液体の中で沈降速度の差を利用して分け（分級）、さらにフィルターを組み合わせて一定のサイズ以上の粒子を確実に捕捉する（ろ過）技術。

半導体や内部の回路の分類で、数値演算などデータの加工・処理を狙うチップや回路のこと。

研磨材と加工液を混ぜたスラリーをかけながらワイヤーの往復運動によって、フェライトや金属シリコン・セラミックス等を切断加工する機械。現在のシリコンウェハーのスライシングのほとんどがワイヤーソーで行われている。

シリコンなどの塊をワイヤーソーで切断する際に用いられる遊離砥粒

経営革新の手法であるバランス・スコアカードの略。事業ビジョン・戦略目標の検討から業績評価指標や数値目標を設定し、アクションプランにまで展開する。

CPUを代表とする大規模集積回路の製造に用いるウェハー表面の平坦化仕上げや、回路形成時の配線製造工程など、半導体製造工程全般で多用されるようになった研磨技術。

セポールは米国トランセルコ社の酸化セリウム研磨材。ガラス研磨業界からの種々の要望に応えるために共同開発したガラスポリシング材。

Chemical Vapor Depolitionの略。反応性ガラスの化学反応を利用した薄幕形成方法。半導体素子の製造工程や切削工具の表面処理などで使用される。

整粒されたダイヤモンドパウダーと特殊研削液とを混合したスラリータイプの研磨材。常に安定した研磨力を持続し、高能率、高精度に鏡面仕上げを行うことができる。

「触媒用担体」の商品名。石油化学・石油精製・ガス化学・公害防止などの分野で使用される触媒を含浸保持する役目をするもので、担体自体は不活性の性質を持つ。アルミナ質、炭化けい素質等に分類されるセラミックスの一種である。

ダイヤモンド微粒子を樹脂系の結合材でペレット状に焼結したもの。球面皿等に貼りつけてガラスレンズなどの研削加工に使用される。

特に小口径、曲率の深いレンズの加工に適した精密研削砥石で、この製品の登場でそれまでの曲率の維持の難しさや作業効率を大幅に改善することが可能になった。

高速度鋼から軟質金属まで、利用範囲の広い金属用最終研磨材。特殊製法に基づく独特の形状と均一な粒度により、優れた研磨面が得られる。

当社独自の半導体加工技術に基づいて開発された、シリコンウェハーのバックグラインディング用研削砥石。

酸化ジルコニウムの超微粒子からなり、特殊合金の研磨に最適。

ガリウムとひ素の化合物半導体。見かけ上はシリコンウェハーに似たダークシルバーの金属色をしている。シリコンより高価。光素子材料の代表で発光ダイオードは広く実用化されている。

溶射方法の一種。HVOFで使用する酸素の替わりに空気を使用して、溶射材料を加熱・加速し、基材に衝突させることで皮膜を形成する方法。HVOFよりも燃焼温度は低いため、溶射材料の酸化や変質を低減することができる。

高速フレーム溶射機のこと。フレーム溶射機の一種であるが、高圧の酸素と炭化水素ガスまたは灯油などを用い、音速を超える速さを利用することで、ほとんどの場合、皮膜の再溶融処理を行わないで済む。従来のプラズマ溶射より硬度、密着度ともに有利である。近年、プラズマ溶射機と並んで主要な位置を占めている。高圧酸素ではなく、空気（Air）を用いる高速フレーム溶射がHVAF。

集積回路。トランジスタやダイオード、抵抗やコンデンサー等を1つの半導体チップの上や基盤の上に集積し金属薄膜で配線して作った回路。コンピュータ、テレビ、自動車等、ほとんど全ての機器に使われている。

International Organization for Standardization（国際標準化機構）の略。品質保証および品質管理の国際規格。当社は、平成6年に上期に日米の全生産拠点で『ISO9002』の認証を業界他社に先駆けて取得して以降、平成11年3月に『ISO9001』を、平成12年3月には環境マネジメント国際規格『ISO14001』を取得している。

国際規格IAQS 9100の日本規格：米国ではAS9100、欧州ではEN9100という互換規格があり、相互認証されています。当社の溶射材事業部は、平成23年9月に取得しました。

湿式分級器の一種で、塔式構造をしている。正式には単塔式上昇流分級器といい、Kは攪拌、Rは連峰（形状がアルプス連峰を逆さにした様であることから名付けられた）の頭文字であり、K式（静置式分級器）とR式（復塔式分級器）を統合した高効率型分級器をいう。

Light Emitting Diodeの略。順方向に電圧を加えた際に発光する半導体素子のことで発光ダイオードと呼ばれる。省エネの照明などに用いられる。

Large Scale Integrationの略。大規模集積回路。ＩＣ（集積回路）のうち、素子の集積度が1,000～10万個程度のもの。電子機器の心臓部分。

シリコンに比べ、高電圧や高温に強く電力損失が少ないのが特徴。硬くて加工しにくい。パワー半導体、LED等の基板として使用されれている。

当社研磨パッドの商品名。主にシリコンウェハー、メモリーハードディスク、化合物半導体等の基板を各種の鏡面仕上材とともに使用する。

Technology Review Meetingの略。技術的な諸問題をお客様と個別に検討する打合せ。