- 1950年8月
- 不二見研磨材工業所を創立し、人造精密研磨材の生産を開始
- 1953年3月
- 不二見研磨材工業株式会社を設立
- 1957年
- 東京通信工業（株）（現ソニー（株））のゲルマニウム半導体基盤用研磨材ニーズに対応
- 1959年7月
- 本社を現在の所在地へ移転
真空管、トランジスタ用絶縁材として高純度絶縁アルミナ生産開始
- 1960年
- 光学用硝子・板硝子向けのポリシング材FR［フジミレミロックス（酸化セリウム）］を生産開始
- 1960年6月
- 神奈川県川崎市に「東京技術センター」を開設
- 1961年1月
- ゲルマニウムウェハー用ポリシング材［FS］を生産開始
- 1967年7月
- シリコンウェハー用ポリシング材［GLANZOX］を発表
- 1970年5月
- 稲沢工場の操業開始
- 1971年
- 光学レンズ研削用の［FDP］を開発
- 1974年
- シリコンウェハー用ポリシング材［GLANZOX］シリーズを開発
- 1975年
- GaAsウェハー用ポリシング材［INSEC］シリーズを開発
- 1977年1月
- プラスチックレンズ用研磨材［POLIPLA］を生産開始
- 1978年
- 「東京技術センター」を閉鎖
- 1980年10月
- 本社ビル完成
- 1981年
- ［COMPOL］シリーズを開発
- 1983年
- ハードディスク用ポリシング材［MEDIPOL-N］シリーズを開発
- 1984年6月
- FUJIMI CORPORATIONを米国イリノイ州に設立
- 1985年1月
- 各務原工場の操業開始
- 1987年
- シリコンウェハー用精密研削砥石［FPW-E］シリーズを開発
- 1988年5月
- FUJIMI AMERICA INC.を米国オレゴン州に設立
- 1988年9月
- 超高純度のシリコンウェハー用ポリシング材［GLANZOX3900］ を開発
- 1990年11月
- ディスク用ポリシング材［DISKLITE］シリーズを開発
- 1991年10月
- 国内関連会社3社を合併し、現社名に商号変更
- 1993年10月
- ディスク用テクスチャー［DIATEC-GTX］シリーズを開発
- 1994年6月-9月
- 本社、稲沢、各務原および米国の全生産拠点が国際標準化機構「ISO9002」の認証を取得
- 1995年4月
- 日本証券業協会に株式を店頭登録（18日）（現JASDAQ証券取引所）
FUJIMI-MICRO TECHNOLOGY SDN. BHD.をマレーシアに設立
CMP用スラリー［PLANERLITE］シリーズを開発
- 1996年10月
- FUJIMI AMERICA INC.トゥアラタン工場（米国オレゴン州）の操業開始
- 1996年12月
- 各務東町工場の操業開始
- 1999年1月
- 物流センター稼働
- 1999年3月
- 国内の全生産拠点が国際標準化機構「ISO9001」の認証を取得
- 1999年11月
- FUJIMI CORPORATIONを１００％子会社化
- 2000年3月
- 国内の全生産拠点が国際標準化機構「ISO14001」の認証を取得
- 2000年5月
- 溶射材事業部棟操業開始
- 2000年9月
- 研究開発センター稼働
- 2000年10月
- FUJIMI-MICRO TECHNOLOGY SDN. BHDクリム工場稼働
- 2000年12月
- CMPスラリー（Cu用）［PLANERLITE-7000］シリーズを開発
- 2001年1月
- 耐衝撃WCサーメット溶射材［SURPREX W2010X］を発表
- 2002年3月
- FUJIMI AMERICA INC. がインテル社の「プリファード・クォリティ・サプライヤー（PQS）賞」を受賞
- 2002年10月
- 世界初、HVOF［高速フレーム溶射］による微粉末溶射システムの確立に成功
- 2003年3月
- FUJIMI-MICRO TECHNOLOGY SDN. BHD.が国際標準化機構「ISO 14001」の認証を取得
当社およびFUJIMI AMERICA INC. がインテル社の「プリファード・クォリティ・サプライヤー（PQS）賞」を受賞
- 2003年7月
- FUJIMI AMERICA INC. はFUJIMI CORPORATIONと合併し、商号をFUJIMI CORPORATIONに変更
- 2004年1月
- FUJIMI EUROPE LIMITED （イギリス）およびFUJIMI EUROPE GMBH（ドイツ）を設立し営業開始
- 2004年3月
- FUJIMI CORPORATION が、インテル社の最高位にランクされる「サプライヤー・コンティニュアス・クォリティ・インプルーブメント（SCQI）賞」を受賞
- 2005年10月
- 台湾竹北市に駐在員事務所を開設
- 2007年2月
- 東証一部、名証一部に同時上場
- 2007年3月
- JASDAQ証券取引所の上場廃止
- 2007年4月
- 本社工場を枇杷島工場に呼称変更
- 2007年5月
- 中国上海市に駐在員事務所を開設
- 2008年5月
- 各務東町工場第2棟の操業開始
- 2008年7月
- FUJIMI CORPORATION がAMD社の「World Class Supplier Pathfinder Award 2007」を受賞
- 2008年10月
- 韓国ソウル市に駐在員事務所を開設
- 2009年11月
- 研磨に適した新しい粒子「角状ナノアルミナ」の開発に成功
- 2010年3月
- 世界初、500℃から成膜可能な超硬溶射材料の開発に成功
- 2010年9月
- FUJIMI EUROPE LIMITED(イギリス）はFUJIMI EUROPE GmbH（ドイツ)に移管
- 2011年4月
- 航空・宇宙・防衛 品質マネジメントシステム（JIS Q 9100）認証を取得（溶射材）
- 2011年8月
- FUJIMI TAIWAN LIMITEDを台湾に設立
- 2013年1月
- FUJIMI KOREA LIMITEDを韓国に設立
- 2013年12月
- 当社がTSMC社の「Excellent Performance Award（優秀賞）」を受賞
- 2015年1月
- FUJIMI SHENZHEN TECHNOLOGY. CO., LTD.を中国に設立
- 2015年3月
- FUJIMI CORPORATIONがインテル社の「プリファード・クォリティ・サプライヤー（PQS）賞」を受賞
- 2015年4月
- 先端技術研究所を設立
- 2016年3月
- FUJIMI CORPORATIONがインテル社の「プリファード・クォリティ・サプライヤー（PQS）賞」を受賞 （2年連続）
- 2017年3月
- FUJIMI CORPORATIONがインテル社の「サプライヤー・コンテニュアス・クオリティー・インプルーブメント（SCQI）賞」を受賞
- 2018年3月
- FUJIMI CORPORATIONがインテル社の「プリファード・クォリティ・サプライヤー（PQS）賞」を受賞
- 2019年3月
- FUJIMI CORPORATIONがインテル社の「プリファード・クォリティ・サプライヤー（PQS）賞」を受賞
- 2020年3月
- FUJIMI CORPORATIONがインテル社の「サプライヤー・コンテニュアス・クオリティー・インプルーブメント（SCQI）賞」を受賞
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